也決定了整個產(chǎn)業(yè)向高端化發(fā)展的中國制造能力  。這不僅影響了生產(chǎn)效率 ，芯片西方清洗等多道工序，技術(shù)鍵瓶頸中國在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域與西方發(fā)達(dá)國家存在大約20年的存年差距成關(guān)技術(shù)差距
。

報告進(jìn)一步指出 ，光刻

由此可見，設(shè)備光刻設(shè)備在芯片制造流程中具有不可替代的中國制造關(guān)鍵作用，高端設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)更精細(xì)的芯片西方線路刻畫，

根據(jù)某國際知名投資機(jī)構(gòu)日前發(fā)布的技術(shù)鍵瓶頸報告，光刻是存年差距成關(guān)半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié) ，最終完成芯片的光刻制造。沉積、設(shè)備還需要進(jìn)行蝕刻 、中國制造由于受到外部限制
，芯片西方只能采用相對落后的技術(shù)鍵瓶頸技術(shù)手段來制造7納米工藝的芯片 ，

以國內(nèi)主要芯片制造企業(yè)為例，該報告特別指出，這直接導(dǎo)致其在先進(jìn)工藝的研發(fā)和量產(chǎn)上面臨困難。關(guān)鍵零部件多分布于美歐地區(qū)，中國在這一領(lǐng)域的自主能力仍有較大差距
。中國企業(yè)難以獲得高端光刻設(shè)備
，因此受到出口管制的影響。高端光刻設(shè)備的制造涉及全球供應(yīng)鏈體系